創新:深耕于氮化鎵單晶襯底的技術創新
智造:助力氮化鎵產業發展,解決國家重大需求
未來:致力于成為國際知名的第三代半導體材料的領軍企業
COMPANY PROFILE
公司 概況
山東晶鎵半導體有限公司成立于2023年8月,主要從事第三代半導體材料氮化鎵(GaN)自支撐單晶襯底的研發、生產和銷售。公司以近年來研發的最新GaN單晶生長與襯底加工技術成果為基礎,開展全方位產學研合作。是國際上少數具有完全自主知識產權的GaN自支撐單晶襯底生產制造廠家。
GaN襯底材料可用來制作激光器、高端LED、大功率電力電子器件和高功率射頻器件等,主要應用于藍綠光激光顯示、激光照明、微波通訊、電力電子等領域。公司依托卓越的研發團隊和多年積累的產業化經驗,重視技術引領,堅持以創新為核心,完善服務、完善產品,力爭成為國際著名的GaN半導體材料公司。
產品中心